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AOW12N65 | |
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Codice DigiKey | AOW12N65-ND |
Produttore | |
Codice produttore | AOW12N65 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 12A TO262 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 12 A (Tc) 278W (Tc) Foro passante TO-262 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2150 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-262 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 720mohm a 6A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFSL9N60APBF | Vishay Siliconix | 641 | IRFSL9N60APBF-ND | Fr. 37.50000 | Simile |


