Name: AS1M025120P
Brand: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
SKU: 4530-AS1M025120P-ND
Price: 27.04662 CHF
Availability: InStock

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AS1M025120P
Codice DigiKey	4530-AS1M025120P-ND
Produttore	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Codice produttore	AS1M025120P
Descrizione	N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Tempi di consegna standard del produttore	4 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 90 A (Tc) 463W (Tc) Foro passante TO-247-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	90 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	20V
RDSon (max) a Id, Vgs	34mohm a 50A, 20V
Vgs(th) max a Id	4V a 15mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	195 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3600 pF @ 1000 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	463W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-3
Contenitore/involucro	TO-247-3

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