Name: AS2312
Brand: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
SKU: 4530-AS2312TR-ND
Price: 0.19458 CHF
Availability: InStock

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AS2312
Codice DigiKey	4530-AS2312TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 4530-AS2312CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 4530-AS2312DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Codice produttore	AS2312
Descrizione	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore	4 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 6,8 A (Ta) 1,2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	18mohm a 6,8A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11.05 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	888 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastrato in bobina (TR)