Name: BSDD06G65E2
Brand: Bourns Inc.
SKU: 118-BSDD06G65E2TR-ND
Price: 2.77817 CHF
Availability: InStock

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BSDD06G65E2
Codice DigiKey	118-BSDD06G65E2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 118-BSDD06G65E2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Bourns Inc.
Codice produttore	BSDD06G65E2
Descrizione	DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 6A A montaggio superficiale TO-252 (DPAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Produttore Bourns Inc.	Corrente - Dispersione inversa a Vr 30 µA @ 650 V
Serie BSD	Capacità a Vr, F 201pF a 1V, 1MHz
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Stato componente Attivo	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Contenitore del fornitore TO-252 (DPAK)
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 650 V	Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C
Corrente - Media rettificata (Io) 6A	Codice componente base BSDD06G65
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.7 V @ 6 A

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5’000	Fr. 0.89975	Fr. 4’498.75

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.57000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.77817

BSDD06G65E2