Name: CGD65B240SH2
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65B240SH2TR-ND
Price: 4.85369 CHF
Availability: InStock

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CGD65B240SH2
Codice DigiKey	4768-CGD65B240SH2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 4768-CGD65B240SH2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 4768-CGD65B240SH2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Cambridge GaN Devices
Codice produttore	CGD65B240SH2
Descrizione	650V GAN HEMT, 240MOHM, DFN5X6.
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 7A A montaggio superficiale 8-DFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 12V
Produttore Cambridge GaN Devices	RDSon (max) a Id, Vgs 336mohm a 500mA, 12V
Serie ICeGaN™	Vgs(th) max a Id 4,2V a 2,3mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.2 nC @ 12 V
Stato componente Attivo	Vgs (max) +20V, -1V
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore 8-DFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7A	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN