CMPDM302PH TR Central Semiconductor Corp | FET, MOSFET singoli

CMPDM302PH TR è obsoleto e non è più in produzione.

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Toshiba Semiconductor and Storage

In magazzino: 31’330

Prezzo unitario : Fr. 0.31000

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CMPDM302PH TR
Codice DigiKey	CMPDM302PHTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Central Semiconductor Corp
Codice produttore	CMPDM302PH TR
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 2,4 A (Ta) 350mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23F
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,4V a 250µA
Produttore Central Semiconductor Corp	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.6 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) 12V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 800 pF @ 10 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,4 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-23F
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro SOT-23-3 conduttori piatti
RDSon (max) a Id, Vgs 91mohm a 1,2A, 4,5V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SSM3J334R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	31’330	SSM3J334RLFCT-ND	Fr. 0.31000	Simile

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CMPDM302PH TR