CMPDM303NH BK è obsoleto e non è più in produzione.
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Toshiba Semiconductor and Storage
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Prezzo unitario : Fr. 0.30000
Scheda tecnica
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CMPDM303NH BK

Codice DigiKey
CMPDM303NHBK-ND
Produttore
Codice produttore
CMPDM303NH BK
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23F
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 3,6 A (Ta) 350mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23F
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
40mohm a 1,8A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
590 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
350mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-23F
Contenitore/involucro
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Obsoleto
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