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Prezzo unitario : Fr. 0.29000
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Canale P 30 V 2,4 A (Ta) 350mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23F
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CMPDM302PH TR

Codice DigiKey
CMPDM302PHTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Central Semiconductor Corp
Codice produttore
CMPDM302PH TR
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F
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Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 2,4 A (Ta) 350mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23F
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Central Semiconductor Corp
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
91mohm a 1,2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
9.6 nC @ 5 V
Vgs (max)
12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
800 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
350mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-23F
Contenitore/involucro
SOT-23-3 conduttori piatti
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