CZDM1003N TR Central Semiconductor Corp | Prodotti a semiconduttore discreti

CZDM1003N TR è obsoleto e non è più in produzione.

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CZDM1003N TR
Codice DigiKey	CZDM1003NTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Central Semiconductor Corp
Codice produttore	CZDM1003N TR
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 3 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Central Semiconductor Corp
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	150mohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max)	20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	975 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA