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1N4006-T | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1N4006DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1N4006DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | 1N4006-T |
Descrizione | DIODE STANDARD 800V 1A DO41 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 800 V 1A Foro passante DO-41 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | 1N4006-T Modelli |
Categoria | Velocità Recupero standard > 500ns, > 200mA (Io) |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 800 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Capacità a Vr, F 8pF a 4V, 1MHz |
Stato componente Obsoleto | Tipo di montaggio |
Tecnologia | Contenitore/involucro |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 800 V | Contenitore del fornitore DO-41 |
Corrente - Media rettificata (Io) 1A | Temp. di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1 V @ 1 A | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N4006G-T | Diodes Incorporated | 6’565 | 1N4006GDICT-ND | Fr. 0.27000 | Consigliato dal produttore |
| 1N4006RLG | onsemi | 29’581 | 1N4006RLGOSCT-ND | Fr. 0.20000 | Diretto |
| 1N4006-E3/53 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 1N4006-E3/53-ND | Fr. 0.07582 | Simile |
| 1N4006-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 8’519 | 1N4006-E3/54GICT-ND | Fr. 0.44000 | Simile |
| 1N4006-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 25’846 | 1N4006-E3/73GICT-ND | Fr. 0.44000 | Simile |




