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1N5224B-T | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1N5224B-T-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | 1N5224B-T |
Descrizione | DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi - Zener 2.8 V 500 mW ±5% Foro passante DO-35 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | 1N5224B-T Modelli |
Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 75 µA @ 1 V |
Produttore | Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.1 V @ 200 mA |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Temperatura di funzionamento -65°C ~ 200°C |
Stato componente Obsoleto | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione - Zener (Vz) nom. | Contenitore/involucro |
Tolleranza ±5% | Contenitore del fornitore DO-35 |
Potenza - Max 500 mW | Codice componente base |
Impedenza (max) (Zzt) 30 Ohms |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5224B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | 8’630 | 1514-1N5224BTRPBFREECT-ND | Fr. 0.39000 | Diretto |
| 1N5224B-1 | Microchip Technology | 0 | 150-1N5224B-1-ND | Fr. 2.17141 | Diretto |
| 1N5224A | Microchip Technology | 0 | 1N5224A-ND | Fr. 2.17141 | Simile |
| NZX2V7C,133 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-4733-1-ND | Fr. 0.13000 | Simile |




