Name: BSS8402DW-7-F
Brand: Diodes Incorporated
SKU: BSS8402DW-FDITR-ND
Price: 0.5405 CHF
Availability: InStock

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BSS8402DW-7-F
Codice DigiKey	BSS8402DW-FDITR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSS8402DW-FDICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSS8402DW-FDIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	BSS8402DW-7-F
Descrizione	MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW A montaggio superficiale SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSS8402DW-7-F Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Complementare canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	60V, 50V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	115mA, 130mA
RDSon (max) a Id, Vgs	7,5ohm a 50mA, 5V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	50pF a 25V, 45pF a 25V
Potenza - Max	200mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SOT-363
Codice componente base	BSS8402

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Nastrato in bobina (TR)