Name: DMC3016LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMC3016LSD-13DITR-ND
Price: 0.72427 CHF
Availability: InStock

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DMC3016LSD-13
Codice DigiKey	DMC3016LSD-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMC3016LSD-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMC3016LSD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMC3016LSD-13
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 8,2 A, 6,2 A 1,2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8,2 A, 6,2 A
RDSon (max) a Id, Vgs	16mohm a 12A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	25,1nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1415pF a 15V
Potenza - Max	1,2W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	8-SO
Codice componente base	DMC3016

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Nastrato in bobina (TR)