Name: DMC3061SVTQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMC3061SVTQ-13TR-ND
Price: 0.12722 CHF
Availability: OutOfStock

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DMC3061SVTQ-13
Codice DigiKey	31-DMC3061SVTQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMC3061SVTQ-13
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 3,4A (Ta), 2,7A (Ta) 880mW A montaggio superficiale TSOT-26
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6,6nC a 10V, 6,8nC a 10V
Produttore Diodes Incorporated	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 278pF a 15V, 287pF a 15V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Potenza - Max 880mW
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione Complementare canale N e P	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,4A (Ta), 2,7A (Ta)	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 3,1A, 10V, 95mohm a 2,7A, 10V	Contenitore del fornitore TSOT-26
Vgs(th) max a Id 1,8V a 250µA, 2,2V a 250µA	Codice componente base DMC3061