Name: DMG2301LK-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG2301LK-13-ND
Price: 0.06616 CHF
Availability: OutOfStock

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DMG2301LK-13
Codice DigiKey	DMG2301LK-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG2301LK-13
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 2,4 A (Ta) 840mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	160mohm a 1A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	156 pF @ 6 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	840mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	DMG2301

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