Name: DMG2305UXQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG2305UXQ-13-ND
Price: 0.05466 CHF
Availability: OutOfStock

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DMG2305UXQ-13
Codice DigiKey	DMG2305UXQ-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG2305UXQ-13
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 4,2 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	52mohm a 4,2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	900mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	808 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,4W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	DMG2305

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.05056
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.05466

DMG2305UXQ-13