Name: DMG302PU-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMG302PU-7TR-ND
Price: 0.46483 CHF
Availability: InStock

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DMG302PU-7
Codice DigiKey	31-DMG302PU-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMG302PU-7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMG302PU-7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG302PU-7
Descrizione	MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 25 V 170mA (Ta) 330mW A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMG302PU-7 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	170mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,7V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	10ohm a 200mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.35 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	-8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	27.2 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	330mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	DMG302

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Nastrato in bobina (TR)