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SOT-23-3
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DMG3414UQ-13

Codice DigiKey
DMG3414UQ-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMG3414UQ-13
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 20 V 4,2 A (Ta) 780mW A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
25mohm a 8,2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
900mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
9.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
829.9 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
780mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-23-3
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base
DMG3414
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
10’000Fr. 0.08565Fr. 856.50
20’000Fr. 0.08066Fr. 1’613.20
30’000Fr. 0.07571Fr. 2’271.30
50’000Fr. 0.07350Fr. 3’675.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.08565
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.09259