Name: DMG3415UQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMG3415UQ-7TR-ND
Price: 0.62698 CHF
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DMG3415UQ-7
Codice DigiKey	31-DMG3415UQ-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMG3415UQ-7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMG3415UQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG3415UQ-7
Descrizione	MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 4 A (Ta) 900mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.1 nC @ 4.5 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 294 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore del fornitore SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 42,5mohm a 4A, 4,5V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) max a Id 1V a 250µA	Codice componente base DMG3415

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NTRV4101PT1G	onsemi	35’550	488-NTRV4101PT1GCT-ND	Fr. 0.69000	Simile

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.62698

DMG3415UQ-7