Name: DMG4407SSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG4407SSS-13DITR-ND
Price: 0.78913 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

DMG4407SSS-13
Codice DigiKey	DMG4407SSS-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMG4407SSS-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMG4407SSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG4407SSS-13
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 9,9 A (Ta) 1,45W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMG4407SSS-13 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9,9 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	11mohm a 12A, 20V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	20.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2246 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,45W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-50°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SO
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	DMG4407

Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 69

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)