Name: DMG6898LSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG6898LSDQ-13DITR-ND
Price: 1.1891 CHF
Availability: InStock

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DMG6898LSDQ-13
Codice DigiKey	DMG6898LSDQ-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMG6898LSDQ-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMG6898LSDQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG6898LSDQ-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 9,5A 1,28W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 26nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1149pF a 10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,28W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,5A	Contenitore del fornitore 8-SO
RDSon (max) a Id, Vgs 16mohm a 9,4A, 4,5V	Codice componente base DMG6898

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.10000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.18910

DMG6898LSDQ-13