Name: DMG9926UDM-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG9926UDMDITR-ND
Price: 0.71346 CHF
Availability: InStock

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DMG9926UDM-7
Codice DigiKey	DMG9926UDMDITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMG9926UDMDICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMG9926UDMDIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG9926UDM-7
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 4,2A 980mW A montaggio superficiale SOT-26
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMG9926UDM-7 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 900mV a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8,3nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 856pF a 10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 980mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione Drain comune a 2 canali N (duale)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro SOT-23-6
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore SOT-26
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,2A	Codice componente base DMG9926
RDSon (max) a Id, Vgs 28mohm a 8,2A, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)