Canale N 650 V 9 A (Tc) 165W (Tc) Foro passante TO-220-3
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DMG9N65CT

Codice DigiKey
DMG9N65CT-ND
Produttore
Codice produttore
DMG9N65CT
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 9 A (Tc) 165W (Tc) Foro passante TO-220-3
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
39 nC @ 10 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
±30V
Stato componente
Obsoleto
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2310 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
165W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
1,3ohm a 4,5A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IRF830PBFVishay Siliconix2’405IRF830PBF-NDFr. 2.69000Simile
IRF840PBFVishay Siliconix8’915IRF840PBF-NDFr. 3.56000Simile
IXFP7N80PMIXYS0IXFP7N80PM-NDFr. 4.17660Simile
STP5NK60ZSTMicroelectronics897497-3196-5-NDFr. 2.33000Simile
STP7NK80ZSTMicroelectronics866497-15684-5-NDFr. 3.18000Simile
Obsoleto
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