MOSFET - Array 60V 3,1 A, 2,4 A 1,6W A montaggio superficiale 8-SO
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DMHC6070LSD-13

Codice DigiKey
DMHC6070LSD-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
DMHC6070LSD-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
DMHC6070LSD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
DMHC6070LSD-13
Descrizione
MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 3,1 A, 2,4 A 1,6W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
DMHC6070LSD-13 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Produttore
Diodes Incorporated
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11,5nC a 10V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
731pF a 20V, 618pF a 20V
Stato componente
Attivo
Potenza - Max
1,6W
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,1 A, 2,4 A
Contenitore del fornitore
8-SO
RDSon (max) a Id, Vgs
100mohm a 1A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.73000Fr. 1.73
10Fr. 1.10500Fr. 11.05
100Fr. 0.74750Fr. 74.75
500Fr. 0.59454Fr. 297.27
1’000Fr. 0.54538Fr. 545.38
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.49218Fr. 1’230.45
5’000Fr. 0.45931Fr. 2’296.55
7’500Fr. 0.44258Fr. 3’319.35
12’500Fr. 0.42991Fr. 5’373.88
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.73000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.87013