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Diodes Incorporated
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Prezzo unitario : Fr. 0.69000
Scheda tecnica
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DMN1004UFDF-13

Codice DigiKey
DMN1004UFDF-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
DMN1004UFDF-13
Descrizione
MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 12 V 15 A (Ta) 2,1W (Ta) A montaggio superficiale U-DFN2020-6
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
47 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±8V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2385 pF @ 6 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2,1W (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
12 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
U-DFN2020-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,5V, 4,5V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
4,8mohm a 15A, 4,5V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
DMN1004UFDF-7Diodes Incorporated031-DMN1004UFDF-7CT-NDFr. 0.69000Equivalente parametrico
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
10’000Fr. 0.14552Fr. 1’455.20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.14552
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.15731