Name: DMN1017UCP3-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN1017UCP3-7TR-ND
Price: 0.7567 CHF
Availability: InStock

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DMN1017UCP3-7
Codice DigiKey	31-DMN1017UCP3-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN1017UCP3-7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN1017UCP3-7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN1017UCP3-7
Descrizione	MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 12 V 7,5 A (Ta) 1,47W A montaggio superficiale X3-DSN1010-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMN1017UCP3-7 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 3,3V
RDSon (max) a Id, Vgs	17mohm a 5A, 3,3V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	16 nC @ 3.3 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1503 pF @ 6 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,47W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	X3-DSN1010-3
Contenitore/involucro	3-XDFN
Codice componente base	DMN1017

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In magazzino: 727

Scorte di fabbrica: 429’000

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)