Name: DMN1019USN-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019USN-13DITR-ND
Price: 0.52969 CHF
Availability: InStock

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DMN1019USN-13
Codice DigiKey	DMN1019USN-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN1019USN-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN1019USN-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN1019USN-13
Descrizione	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 12 V 9,3 A (Ta) 680mW (Ta) A montaggio superficiale SC-59-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 800mV a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 50.6 nC @ 8 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2426 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 680mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,3 A (Ta)	Contenitore del fornitore SC-59-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 2,5V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 9,7A, 4,5V	Codice componente base DMN1019

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