Name: DMN1019USN-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019USN-13DITR-ND
Price: 0.4324 CHF
Availability: InStock

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DMN1019USN-13
Codice DigiKey	DMN1019USN-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN1019USN-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN1019USN-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN1019USN-13
Descrizione	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 12 V 9,3 A (Ta) 680mW (Ta) A montaggio superficiale SC-59-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,2V, 2,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	10mohm a 9,7A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	800mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	50.6 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2426 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	680mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-59-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	DMN1019

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