Name: DMN1019UVT-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019UVT-13DI-ND
Price: 0.11853 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN1019UVT-13
Codice DigiKey	DMN1019UVT-13DI-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN1019UVT-13
Descrizione	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 12 V 10,7 A (Ta) 1,73W (Ta) A montaggio superficiale TSOT-26
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 800mV a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 50.4 nC @ 8 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2588 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,73W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10,7 A (Ta)	Contenitore del fornitore TSOT-26
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 4,5V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 9,7A, 4,5V	Codice componente base DMN1019