Name: DMN1029UFDB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1029UFDB-7DITR-ND
Price: 0.5405 CHF
Availability: InStock

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DMN1029UFDB-7
Codice DigiKey	DMN1029UFDB-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN1029UFDB-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN1029UFDB-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN1029UFDB-7
Descrizione	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 12V 5,6A 1,4W A montaggio superficiale U-DFN2020-6 (tipo B)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19,6nC a 8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 914pF a 6V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,4W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 12V	Contenitore/involucro 6-UDFN piazzola esposta
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,6A	Contenitore del fornitore U-DFN2020-6 (tipo B)
RDSon (max) a Id, Vgs 29mohm a 5A, 4,5V	Codice componente base DMN1029

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Nastrato in bobina (TR)