Name: DMN1029UFDB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1029UFDB-7DITR-ND
Price: 0.51888 CHF
Availability: InStock

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DMN1029UFDB-7
Codice DigiKey	DMN1029UFDB-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN1029UFDB-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN1029UFDB-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN1029UFDB-7
Descrizione	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 12V 5,6A 1,4W A montaggio superficiale U-DFN2020-6 (tipo B)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	12V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,6A
RDSon (max) a Id, Vgs	29mohm a 5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	19,6nC a 8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	914pF a 6V
Potenza - Max	1,4W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-UDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore	U-DFN2020-6 (tipo B)
Codice componente base	DMN1029

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Nastrato in bobina (TR)