Name: DMN10H099SFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H099SFG-13-ND
Price: 0.19847 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN10H099SFG-13
Codice DigiKey	DMN10H099SFG-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN10H099SFG-13
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 4,2 A (Ta) 980mW (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	80mohm a 3,3A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	25.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1172 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	980mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	POWERDI3333-8
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	DMN10