Name: DMN10H170SK3Q-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H170SK3Q-13DITR-ND
Price: 0.91885 CHF
Availability: InStock

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DMN10H170SK3Q-13
Codice DigiKey	DMN10H170SK3Q-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN10H170SK3Q-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN10H170SK3Q-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN10H170SK3Q-13
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 12 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale TO-252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	140mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	9.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1167 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	42W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	DMN10

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Nastrato in bobina (TR)