Name: DMN10H170SVTQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H170SVTQ-7DITR-ND
Price: 0.79994 CHF
Availability: InStock

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DMN10H170SVTQ-7
Codice DigiKey	DMN10H170SVTQ-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN10H170SVTQ-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN10H170SVTQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN10H170SVTQ-7
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 2,6 A (Ta) 1,2W (Ta) A montaggio superficiale TSOT-26
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.7 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1167 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,2W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,6 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore TSOT-26
RDSon (max) a Id, Vgs 160mohm a 5A, 10V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA	Codice componente base DMN10

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN10H170SVT-7	Diodes Incorporated	3’997	DMN10H170SVT-7DICT-ND	Fr. 0.72000	Equivalente parametrico

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.74000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.79994

DMN10H170SVTQ-7