Name: DMN10H220LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN10H220LK3-13TR-ND
Price: 0.63779 CHF
Availability: InStock

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DMN10H220LK3-13
Codice DigiKey	31-DMN10H220LK3-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN10H220LK3-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN10H220LK3-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN10H220LK3-13
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 7,5 A (Tc) 18,7W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.7 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 384 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 18,7W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,5 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252 (DPAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 220mohm a 2A, 10V	Codice componente base DMN10

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Nastrato in bobina (TR)