Name: DMN2005UFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2005UFGQ-7DI-ND
Price: 0.33876 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN2005UFGQ-7
Codice DigiKey	DMN2005UFGQ-7DI-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2005UFGQ-7
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 18 A (Ta), 50 A (Tc) 1,05W (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 164 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6495 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,05W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Ta), 50 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore del fornitore POWERDI3333-8
RDSon (max) a Id, Vgs 4,6mohm a 13,5A, 4,5V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA	Codice componente base DMN2005

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN2005UFGQ-13	Diodes Incorporated	0	DMN2005UFGQ-13DI-ND	Fr. 0.37118	Equivalente parametrico

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.33876

DMN2005UFGQ-7