
DMN2014LHAB-7 | |
|---|---|
Codice DigiKey | DMN2014LHAB-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN2014LHAB-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN2014LHAB-7DIDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | DMN2014LHAB-7 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 9A 800mW A montaggio superficiale U-DFN2030-6 (tipo B) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 1,1V a 250µA |
Produttore Diodes Incorporated | Carica del gate (Qg) max a Vgs 16nC a 4,5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1550pF a 10V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 800mW |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione Drain comune a 2 canali N (duale) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 6-UFDFN piazzola esposta |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore del fornitore U-DFN2030-6 (tipo B) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 13mohm a 4A, 4,5V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.67000 | Fr. 0.67 |
| 10 | Fr. 0.41500 | Fr. 4.15 |
| 100 | Fr. 0.26820 | Fr. 26.82 |
| 500 | Fr. 0.20484 | Fr. 102.42 |
| 1’000 | Fr. 0.18442 | Fr. 184.42 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.15846 | Fr. 475.38 |
| 6’000 | Fr. 0.14538 | Fr. 872.28 |
| 9’000 | Fr. 0.13872 | Fr. 1’248.48 |
| 15’000 | Fr. 0.13123 | Fr. 1’968.45 |
| 21’000 | Fr. 0.12679 | Fr. 2’662.59 |
| 30’000 | Fr. 0.12248 | Fr. 3’674.40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.67000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.72427 |


