
DMN2016UTS-13 | |
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Codice DigiKey | DMN2016UTS-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN2016UTS-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN2016UTS-13DIDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | DMN2016UTS-13 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 8,58 A 880mW A montaggio superficiale 8-TSSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | DMN2016UTS-13 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Diodes Incorporated | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Drain comune a 2 canali N (duale) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 8,58 A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 14,5mohm a 9,4A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 16,5nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1495pF a 10V | |
Potenza - Max | 880mW | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-TSSOP (larghezza 0,173", 4,40mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-TSSOP | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.71000 | Fr. 0.71 |
10 | Fr. 0.44300 | Fr. 4.43 |
100 | Fr. 0.24440 | Fr. 24.44 |
500 | Fr. 0.20916 | Fr. 104.58 |
1’000 | Fr. 0.18900 | Fr. 189.00 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.16380 | Fr. 409.50 |
5’000 | Fr. 0.15642 | Fr. 782.10 |
7’500 | Fr. 0.14927 | Fr. 1’119.53 |
12’500 | Fr. 0.14820 | Fr. 1’852.50 |
17’500 | Fr. 0.13650 | Fr. 2’388.75 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.71000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.76751 |