Name: DMN2029UVT-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2029UVT-13DI-ND
Price: 0.08707 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN2029UVT-13
Codice DigiKey	DMN2029UVT-13DI-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2029UVT-13
Descrizione	MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 6,8 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale TSOT-26
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	24mohm a 6,2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	7.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	646 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TSOT-26
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	DMN2029