Name: DMN2600UFB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2600UFB-7DITR-ND
Price: 0.23782 CHF
Availability: InStock

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DMN2600UFB-7
Codice DigiKey	DMN2600UFB-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN2600UFB-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN2600UFB-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2600UFB-7
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 1,3 A (Ta) 540mW (Ta) A montaggio superficiale X1-DFN1006-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	350mohm a 200mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.85 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	70.13 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	540mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	X1-DFN1006-3
Contenitore/involucro	3-UFDFN
Codice componente base	DMN2600

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Nastrato in bobina (TR)