Name: DMN2990UFZ-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2990UFZ-7BDITR-ND
Price: 0.44321 CHF
Availability: InStock

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DMN2990UFZ-7B
Codice DigiKey	DMN2990UFZ-7BDITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN2990UFZ-7BDICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN2990UFZ-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2990UFZ-7B
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 250mA (Ta) 320mW (Ta) A montaggio superficiale X2-DFN0606-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.5 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 55.2 pF @ 16 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 320mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 250mA (Ta)	Contenitore del fornitore X2-DFN0606-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 4,5V	Contenitore/involucro 3-XFDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 990mohm a 100mA, 4,5V	Codice componente base DMN2990

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)