Name: DMN3010LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3010LSS-13TR-ND
Price: 1.00533 CHF
Availability: InStock

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DMN3010LSS-13
Codice DigiKey	31-DMN3010LSS-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN3010LSS-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN3010LSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3010LSS-13
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 16 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 43.7 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2096 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 16A, 10V	Codice componente base DMN3010

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Sostituti (9)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
AO4492	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	29’439	785-1290-1-ND	Fr. 1.04000	Simile
BSO040N03MSGXUMA1	Infineon Technologies	340	448-BSO040N03MSGXUMA1CT-ND	Fr. 1.71000	Simile
FDS6680A	onsemi	14’779	FDS6680ACT-ND	Fr. 1.21000	Simile
FDS8447	onsemi	9	FDS8447CT-ND	Fr. 0.88000	Simile
FDS8880	onsemi	962	FDS8880CT-ND	Fr. 0.92000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.93000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.00533

DMN3010LSS-13