Name: DMN3011LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3011LSS-13TR-ND
Price: 0.28106 CHF
Availability: OutOfStock

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DMN3011LSS-13
Codice DigiKey	31-DMN3011LSS-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN3011LSS-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN3011LSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3011LSS-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
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Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 11 A (Ta) 1,58W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,25V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19.7 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1130 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,58W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SO
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 12A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN3011LSSQ-13	Diodes Incorporated	0	31-DMN3011LSSQ-13TR-ND	Fr. 0.15183	Equivalente parametrico

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.26000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.28106

DMN3011LSS-13