Name: DMN3018SSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3018SSD-13DITR-ND
Price: 0.58374 CHF
Availability: InStock

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DMN3018SSD-13
Codice DigiKey	DMN3018SSD-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN3018SSD-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN3018SSD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3018SSD-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 6,7A 1,5W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMN3018SSD-13 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,7A
RDSon (max) a Id, Vgs	22mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13,2nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	697pF a 15V
Potenza - Max	1,5W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	8-SO
Codice componente base	DMN3018

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Nastrato in bobina (TR)