DMN2500UFB4-7 Diodes Incorporated | Prodotti a semiconduttore discreti

DMN2500UFB4-7 è obsoleto e non è più in produzione.

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Diodes Incorporated

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DMN2500UFB4-7
Codice DigiKey	DMN2500UFB4-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2500UFB4-7
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 810mA (Ta) 460mW (Ta) A montaggio superficiale X2-DFN1006-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	810mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	400mohm a 600mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.74 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	60.67 pF @ 16 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	460mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	X2-DFN1006-3
Contenitore/involucro	3-XFDFN
Codice componente base	DMN2500