Name: DMN3024LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3024LSD-13DITR-ND
Price: 1.01614 CHF
Availability: InStock

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DMN3024LSD-13
Codice DigiKey	DMN3024LSD-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN3024LSD-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN3024LSD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3024LSD-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 6,8A 1,8W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12,9nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 608pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,8W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,8A	Codice componente base DMN3024
RDSon (max) a Id, Vgs 24mohm a 7A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)