Name: DMN3026LVTQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3026LVTQ-13-ND
Price: 0.13616 CHF
Availability: OutOfStock

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DMN3026LVTQ-13
Codice DigiKey	DMN3026LVTQ-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3026LVTQ-13
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 6,6 A (Ta) 1,2W (Ta) A montaggio superficiale TSOT-26
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12.5 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 643 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,2W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,6 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore TSOT-26
RDSon (max) a Id, Vgs 23mohm a 6,5A, 10V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) max a Id 2V a 250µA	Codice componente base DMN3026

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN3026LVT-7	Diodes Incorporated	0	DMN3026LVT-7DICT-ND	Fr. 0.49000	Equivalente parametrico
DMN3026LVTQ-7	Diodes Incorporated	395	31-DMN3026LVTQ-7CT-ND	Fr. 0.62000	Equivalente parametrico
FDC8886	onsemi	19’679	FDC8886CT-ND	Fr. 0.72000	Simile