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DMN3027LFG-13
Diodes Incorporated
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DMN3027LFG-7
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DMN3029LFG-13

Codice DigiKey
DMN3029LFG-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMN3029LFG-13
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 5,3 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
18,6mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
1,8V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
580 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
POWERDI3333-8
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
DMN3029
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Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.12639Fr. 379.17
6’000Fr. 0.11564Fr. 693.84
9’000Fr. 0.11016Fr. 991.44
15’000Fr. 0.10401Fr. 1’560.15
21’000Fr. 0.10036Fr. 2’107.56
30’000Fr. 0.09770Fr. 2’931.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.12639
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.13663