Name: DMN3032L-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3032L-7TR-ND
Price: 0.06228 CHF
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DMN3032L-7
Codice DigiKey	31-DMN3032L-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3032L-7
Descrizione	MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Tempi di consegna standard del produttore	28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 5,4 A (Ta) 800mW A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	31mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	481 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	800mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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