Name: DMN3032LE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3032LE-13DITR-ND
Price: 0.73508 CHF
Availability: InStock

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DMN3032LE-13
Codice DigiKey	DMN3032LE-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN3032LE-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN3032LE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3032LE-13
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 5,6 A (Ta) 1,8W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMN3032LE-13 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	29mohm a 3,2A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	498 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,8W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223-3
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	DMN3032

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Nastrato in bobina (TR)