DMN3110LCP3-7 Diodes Incorporated | FET, MOSFET singoli

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Diodes Incorporated

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DMN3110LCP3-7
Codice DigiKey	DMN3110LCP3-7-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3110LCP3-7
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
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Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 3,2 A (Ta) 1,38W A montaggio superficiale X2-DFN1006-3

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,1V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.52 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) 12V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 150 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,38W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,2 A (Ta)	Contenitore del fornitore X2-DFN1006-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 8V	Contenitore/involucro 3-XFDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 69mohm a 500mA, 8V	Codice componente base DMN3110

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN3060LCA3-7	Diodes Incorporated	8’748	31-DMN3060LCA3-7CT-ND	Fr. 0.44000	Simile

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