Name: DMN3135LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3135LVT-7DITR-ND
Price: 0.49726 CHF
Availability: InStock

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DMN3135LVT-7
Codice DigiKey	DMN3135LVT-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN3135LVT-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN3135LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3135LVT-7
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 3,5A 840mW A montaggio superficiale TSOT-26
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,5A
RDSon (max) a Id, Vgs	60mohm a 3,1 A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	4,1nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	305pF a 15V
Potenza - Max	840mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore del fornitore	TSOT-26
Codice componente base	DMN3135

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Nastrato in bobina (TR)